氮化硅LPCVD流片（XF-WSBX-******）延期公告
發(fā)布時(shí)間：2025-05-30 17:17:58
延期信息
延期理由：由于該項目報價(jià)情況不滿(mǎn)足要求，本項目延期至2025-06-02 19:00
項目信息
項目名稱(chēng)：氮化硅LPCVD流片
項目編號：XF-WSBX-******
公告開(kāi)始日期：2025-05-30 17:17:58
公告截止日期：2025-06-02 19:00:00
******大學(xué)
付款方式：貨到付款，甲方在到貨驗收后15日內向乙方一次性支付本項目的總額
聯(lián)系人：中標后在我參與的項目中查看
聯(lián)系電話(huà)：中標后在我參與的項目中查看
簽約時(shí)間要求：成交后3個(gè)工作日內
到貨時(shí)間要求：
預算：￥360000.00
收貨地址：
供應商資質(zhì)要求：符合《政府采購法》第二十二條規定的供應商基本條件
公告說(shuō)明：由于該項目報價(jià)情況不滿(mǎn)足要求，本項目延期至2025-06-02 19:00
采購清單
采購商品：氮化硅LPCVD流片
采購數量：6
計量單位：張
所屬分類(lèi)：電子、通信與自動(dòng)控制技術(shù)研究服務(wù)
預算：￥60000.00
技術(shù)參數及配置要求：1.\tLPCVD Si3N4厚度400 nm，退火后最小CD：200 nm，最小gap：250 nm。CD線(xiàn)寬控制：200±20 nm；Si3N4側壁角度：＞86°。
2.\t在400 nm Si3N4上進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度200 nm，套刻精度：70 nm。Slab 厚度：200±15 nm，Si3N4厚度：400±20 nm
3.\tSi3N4上進(jìn)行SiO2填充，≥250 nm的gap需要保證SiO2填充完整。
4.\tTiN方塊電阻中心和邊緣的均值：13.5ohm/sq。最小CD：2μm 。
5.\tSi3N4單模波導（1μm寬度）傳輸損耗：≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。
6.\t端面耦合（c波段，MFD_2p5μm）：TE：loss＜2dB/facet，TM：loss＜2.1dB/facet。
7.\t1*2MMI（c波段）：損耗≈0.2dB ，不平衡度＜0.1dB。
8.\tcrossing（c波段）：損耗≈0.2dB。
售后服務(wù)：電話(huà)支持: 5x8小時(shí);服務(wù)時(shí)限:報修后48小時(shí);商品承諾:原廠(chǎng)全新未拆封正品;
